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CVD化学气相沉积法
CVD化学气相沉积法
CVD化学气相沉积法
长期以来,相信太多人对CVD仅存有抽象的概念,CVD化学气相沉积法究竟是什么?为此我们今天通过此文章对这一技术作个全面的分析讲解,希望对大家有更深和更多的理解。定义上讲CVD是Chemical Vapor Deposition英文缩写简称(化学气相沉积),指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后,表面处理膜密着性约提高30%,防止高强力钢的弯曲,拉伸等成形时产生的刮痕。
例如,金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解,氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的,但目前,不只应用于耐热物质的涂层,而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等,是一个颇具特征的技术领域。其技术特征在于:
(1)高熔点物质能够在低温下合成;
(2)析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种;
(3)不仅可以在基片上进行涂层,而且可以在粉体表面涂层等。特别是在低温下可以合成高熔点物质,在节能方面做出了贡献,作为一种新技术是大有前途的。例如,在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC,而且正向更低温度发展。 以上文章来源《360问答网》,仅作行业科普学习使用,如原创方持有异议,请通过本公司网站与我们取得联系,我们将作删除处理。