分子束外延(MBE)是在真空蒸发基础上发展起来晶体生长技术。分子束源炉是MBE生长室的核心部件之一,在MBE系统中,分子束源炉中的坩埚又是最容易损坏的部件之一。尽管PBN材料做成的坩埚具有良好的抗热震性和耐高温特性,但温度的剧烈变化是坩埚损坏的主要原因。我们在实验过程中发现,引起坩埚温度剧烈变化的原因主要有以下几个方面,大家可通过下方的分子束源炉的加热控制原理图让有个更直观的理解。