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CVD与PVD气相沉积的区别
CVD与PVD气相沉积的区别、CVD、MOCVD
CVD与PVD气相沉积的区别
英文上CVD(化学气相沉积)和PVD(物理气相沉积)的区别: 常见PVD有分子束外延,电子束蒸镀,磁控溅射等等,最根本的就是沉积的时间是否发生了化学变化,如果生产新的物质自然是CVD。一般CVD是通过热的或者等离子的外力,使分子裂解成碎片气源,然后在基地上发生化学反应,沉积到基地上。而PVD就简单了,就是通过RF,EB,等等把基地靶材打出分子,原子,然后沉积到基地物质上,是个简单的物理过程。如常见的磁控溅射吧,就是通过射频等离子打到靶材上,然后沉积成纳米厚的薄膜层。化学气相沉积过程中有化学反应,多种材料相互反应,生成新的的材料。物理气相沉积中没有化学反应,材料只是形态有改变。
对许多金属和金属合金长期以来的争论就是,他们是通过物理气相沉积(PVD)还是通过化学气相沉积(CVD)能得到最好的沉积效果。尽管CVD比PVD有更好的台阶覆盖特性,但目前诸如铜的子晶层和钽氮扩散层薄膜都是通过PVD来沉积的,因为现有的大量装置都是基于PVD系统的,工程技术人员对PVD方法也有较高的熟练程度。一些人建议,既然台阶覆盖特性越来越重要(尤其是在通孔边墙覆盖),CVD方法将成为必不可少的技术。相似的争论也存在于产生低k值介质材料方面:是使用CVD方法好还是采用旋涂工艺好?
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